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媒體：日美將合作加強半導體人才培養應對中國

媒體：日美將合作加強半導體人才培養應對中國

俄羅斯衛星通訊社

據日本共同社29日報道，為培養具備尖端半導體技術的人才，日美兩國政府將加強合作。考慮到與顯著加強軍事力量的中國之間在安全保障上的緊張局面，日美將在人工智能（AI）和超級計算機等下一代技術方面實現擅長領域的互補。此舉也有意在所有產業均不可或缺的半導體技術方面引領全球。 2022年12月30日, 俄羅斯衛星通訊社

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報道稱，日美兩國正在協調明年1月在華盛頓舉行首腦會談和部長會議。雙方將在上述會議中確認加強半導體人才培養的合作關係。最快春季匯總加強人才培養的具體措施，其中較有力的方案是：向具備較高技術能力的研究機構和企業相互派遣研究人員和學生。日美今年5月就“半導體合作基本原則”達成共識，其中包括促進半導體製造能力多樣化等內容。以互補為核心，擅長下一代計算機基本設計的美國和擅長材料工學的日本力爭在這些領域實現互助。發揮核心作用的是兩國各自創設的研究組織。日本12月設立產業技術綜合研究所和東京大學等參加的“技術研究組合最尖端半導體技術中心”（LSTC）。美國將於2023年2月建立“國家半導體技術中心”（NSTC）。包括人才交流在內，將推動研究成果向實用的轉化及下一代技術的量產化。據日本電子信息技術產業協會（JEITA）稱，日本今後10年間需要3.5萬名半導體人才。另一方面，數字人才相比半導體更易流向IT企業等，這種傾向在日美均較為顯著。美國商務部工業和安全局在10月7日發佈新的芯片出口管制措施，對向中國出售半導體和芯片製造設備進一步限制，將禁止企業向中國供應先進的計算芯片製造設備和其他產品，為向中國出口IC半導體製造設施增加新的許可證要求。根據新的要求，中國實體擁有的設施許可證將會面臨“拒絕推定”，美國供應商若向中國本土芯片製造商出售尖端生產設備，生產18納米或以下的DRAM芯片、128層或以上的NAND閃存芯片、14納米或以下的邏輯芯片，必須申請許可證並將受到嚴格審查。

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