美國做甚麼,芯片研產不至於輸給中國

CC BY 4.0 / FMNLab / microfluidic chip美國做甚麼,芯片研產不至於輸給中國
美國做甚麼,芯片研產不至於輸給中國 - 俄羅斯衛星通訊社, 1920, 05.08.2022
中國存儲芯片製造商長江存儲(YMTC)正在追趕其美國和韓國的競爭對手。據公司通報,製成由 232 層組成的第四代 3D NAND 芯片。閃存生產的世界領導者Micron和SK Hynix,剛剛開始大規模生產此類芯片。美國意圖阻止長江存儲獲得技術,這樣不至於輸掉與中國在半導體方面的競賽。
目前,長江存儲是中國半導體領域最為成功的企業之一。該公司在世界NAND閃存市場約佔5%份額。但據估計,到2027年,該指數將增加一倍多。此前曾有報道,蘋果公司正考慮將YMTC確定為蘋果手機閃存供應商,與Kioxia, Micron, Samsung, Western Digital公司等同。全球出現芯片慌,且Western Digital公司也承認,因企業內的材料污染,導致無法生產低於6.5艾字節的記憶卡。在此情況下,蘋果公司決定供應商多元化。蘋果公司將長江存儲定為供應商表明,這家企業的產品符合技術最高標準。
此前長江存儲未被列入制裁清單。彼時,美國關注的是華盛頓所認為的對其構成實實在在競爭威脅的中國高科技企業,比如華為和中芯國際等。但長江存儲突起,迫使美國鷹派將中國的NAND芯片製造商也定性為“國家安全威脅”。美國商務部部長吉娜·雷蒙多不久前收到參議員多數派領袖查克·舒默等兩黨參議員的信函,他們建議禁止為長江存儲提供美國可生產128層以上記憶卡的技術和設備。
但長江存儲已從其他國家大型供應商那裡獲得技術,生產同樣層數的閃存卡。另一個問題是,初始階段,在沒有設備情況下,無法實現規模化生產。儘管如此,從技術角度看,生產閃卡的技術要比生產邏輯芯片更為容易。北京師範大學-香港浸會大學聯合國際學院教授許粲昊在接受衛星通訊社採訪時指出,存儲芯片可能會是一個技術突破點。

許粲昊說:“我認為存在這種趨勢,因為美國想要限制中國半導體產業的快速發展,而且自2018年開始就在不斷加碼限制措施。目前長江存儲在存儲芯片領域的技術屬於世界先進水平,對此美國也非常清楚。實際上當堆疊層數達到一定水平,或者技術突破到某一階段時,必然會伴隨著被打壓。不過與邏輯芯片相比,存儲芯片的設計技術更加簡單,結構也沒有過於複雜,通常芯片製造相關的先進工藝也都會在存儲芯片上率先試制。從這一角度來看,可能存儲芯片會是一個很好的技術突破點。”

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不久前,美國通過《競爭力法案》,擬撥出520億美元補貼半導體公司,在美國本土發展芯片生產。但對美國商界來說存在不利條件。比如獲得補貼的條件是公司不再中國擴大生產。目前,世界差不多25%的閃存供往中國市場。甚至美國和韓國廠家也在中國設廠。比如SK Hynix公司,此前曾收購英特公司在大連的3D NAND芯片企業。從這點看,美國議員們所討論的制裁案,對全世界的半導體公司來說是把雙刃劍,最終不會推動芯片廠家對美國市場的興趣,而是相反。
目前,中國公司正努力增加自身技術能力。長江存儲公司在強化競爭力,也非常清楚,在制裁螺旋還未對公司造成打擊情況下最大程度地快速行動。6月末有消息傳出,長江存儲在武漢建第二家閃存芯片生產廠。如工廠全面運轉,每月將生產20萬個3D NAND芯片,這要比現有的工廠產出多出一倍。
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