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中國成功研發全球首顆全新架構閃存芯片
中國成功研發全球首顆全新架構閃存芯片
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綜合中國媒體9日報道,復旦大學在《自然》(Nature)上發文,題目為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》(“A full-featured 2D flash chip enabled by system... 2025年10月10日, 俄羅斯衛星通訊社
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據報道,研發者復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室、集成電路與微納電子創新學院周鵬-劉春森團隊方面認為,這是中國集成電路領域的“源技術”,使中國在下一代存儲核心技術領域掌握了主動權。存儲器產業界代表認為,團隊研發的二維-硅基混合架構芯片具有天然的訪問速度優勢,可突破閃存本身速度、功耗、集成度的平衡,未來或可在3D應用層面帶來更大的市場機會;下一步期待通過產學研協同合作,為市場帶來變革。報道稱,面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰,具有原子級厚度的二維半導體是目前國際公認的破局關鍵,科學家們一直在探索如何將二維半導體材料應用於集成電路中。當前,國際上對二維半導體的研究仍在起步階段,尚未實現大規模應用。
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中國成功研發全球首顆全新架構閃存芯片
2025年10月10日, 08:57 (更新: 2025年10月10日, 08:58) 綜合中國媒體9日報道,復旦大學在《自然》(Nature)上發文,題目為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》(“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”),相關成果率先實現全球首顆二維-硅基混合架構芯片,攻克新型二維信息器件工程化關鍵難題,為推動信息技術邁入全新高速時代提供強力支撐。
據報道,研發者復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室、集成電路與微納電子創新學院周鵬-劉春森團隊方面認為,這是中國集成電路領域的“源技術”,使中國在下一代存儲核心
技術領域掌握了主動權。存儲器產業界代表認為,團隊研發的二維-硅基混合架構芯片具有天然的訪問速度優勢,可突破閃存本身速度、功耗、集成度的平衡,未來或可在3D應用層面帶來更大的市場機會;下一步期待通過產學研協同合作,為市場帶來變革。
報道稱,面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰,具有原子級厚度的二維半導體是目前國際公認的破局關鍵,科學家們一直在探索如何將二維半導體材料應用於集成電路中。當前,國際上對二維半導體的研究仍在起步階段,尚未實現大規模應用。