中國駐俄大使談美國半導體制裁:共破封鎖開創新局 中俄合作大有可為

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中國駐俄大使談美國半導體制裁:共破封鎖開創新局 中俄合作大有可為 - 俄羅斯衛星通訊社, 1920, 24.01.2025
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俄羅斯衛星通訊社北京1月24日電 中國駐俄羅斯大使張漢暉1月24日在俄羅斯媒體發表署名文章就美國出於國內政治需要加大對華打壓、對中國半導體產業展開瘋狂“圍剿”表示,無理霸凌終將失敗,中俄攜手共創新局。
據中國駐俄羅斯大使館微信公眾號消息,張漢暉當天在俄羅斯《勞動報》發表署名文章《美國半導體制裁鬧劇:無理霸凌終將失敗,中俄攜手共創新局》。
文章說,近來,美國出於國內政治需要加大對華打壓,對中國半導體產業展開瘋狂“圍剿”,包括無理要求台積電限制對華出口7nm以下芯片,將136家中國實體增列至“制裁實體清單”等。2024年12月23日,美國貿易代表辦公室(USTR)宣佈對華啓動301調查,重點針對中國成熟制程芯片,宣稱其削弱美國關鍵產供鏈安全,對美國經濟構成潛在威脅。美國藉口所謂“不公平競爭”蓄意遏制中國發展早已是世人皆知,不僅中國堅決反對,也為國際社會所不齒。
中國大使認為,中俄都是科技大國,兩國科技合作潛力巨大、前景廣闊。在兩國元首的戰略引領下,中俄始終堅持面向未來、共創共享、開放包容、優勢互補的科技創新合作理念,扎實推進基礎研究領域合作,不斷加大聯合研發項目力度,為助力自身經濟社會可持續發展提供強大支撐和強勁動力。
張漢暉指出,與此同時,中俄共同倡導全球科技合作與公平競爭,反對技術封鎖與科技霸凌。中俄有足夠的底氣和實力,無懼美國無端打壓與霸權行徑。憑借在科研人才、資源互補、應用市場等方面優勢,中俄在半導體等關鍵技術領域協同發力,共享技術成果,共抵外部壓力,開闢科技產業發展新路徑,共同書寫更加公平、合理、繁榮的全球科技發展新篇章,造福世界各國與全人類。
中國國務院副總理丁薛祥 - 俄羅斯衛星通訊社, 1920, 24.01.2025
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