中國在光存儲領域獲突破性進展

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中國在光存儲領域獲突破性進展 - 俄羅斯衛星通訊社, 1920, 22.02.2024
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俄羅斯衛星通訊社北京2月22日電 據央視新聞消息,近日,中國科學家在超大容量三維超分辨光存儲研究中取得突破性進展,實現了點尺寸為54nm、道間距為70nm的超分辨數據存儲,並完成了100層的多層記錄,單盤等效容量達Pb量級。
消息說,近日,中國科學院上海光學精密機械研究所(以下簡稱“上海光機所”)與上海理工大學等科研單位合作,在超大容量三維超分辨光存儲研究中取得突破性進展。研究團隊利用國際首創的雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技術,實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實現了點尺寸為54nm、道間距為70nm的超分辨數據存儲,並完成了100層的多層記錄,單盤等效容量達Pb量級,對於中國在信息存儲領域突破“卡脖子”障礙、實現數字經濟的可持續發展具有重大意義。相關研究成果於2024年2月22日發表於《自然》(Nature)雜誌。
光存儲技術具有綠色節能、安全可靠、壽命長達50~100年的獨特優勢,非常適合長期低成本存儲海量數據,然而受到衍射極限的限制,傳統商用光盤的最大容量僅在百GB量級。在信息量日益增長的大數據時代,突破衍射極限、縮小信息點尺寸、提高單盤存儲容量長久以來一直都是光存儲領域的不懈追求。
荷蘭半導體設備製造商阿斯麥(ASML)近日啓動在華招聘 - 俄羅斯衛星通訊社, 1920, 28.09.2023
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