科學家已經明白如何控制未來電子儀器的性質

研究二維材料（"二維"是指電子僅按照兩個坐標運動的系統）--它是最具現實意義的學術課題。正是因為第一次發現並研究這種材料（石墨烯）2010年授予諾貝爾物理學獎。
由於二維材料的自身性質，它作為新一代緊湊型電子儀器的主要元件。例如，二維二硫化鉬(MoS2)在晶體管元件中具有高電荷遷移率和開關比--所有這些表明電子儀器依靠二維二硫化鉬提高工作速度的可能性。
2017年已經近乎非常充分的使用這種材料，對MoS2結構缺陷的完善機制進行了說明，並在"ACS Nano"雜誌中發表，教授格特哈爾德·謝伊菲爾特說到。而科學家們繼續研究二維材料的性質。
"這種材料單層的特殊光學性質，像二硫化鉬和二硒化鎢（WSe2），由激子決定：激子與電子空穴對相關（作為正電荷載體的准粒子）"，國家工藝研究大學領軍科學家、教授格特哈爾德·謝伊菲爾特談到。
同時，通過獨立單層相互鋪疊建立MoS2/WSe2的異質結結構可以產生新型激子，在激子中電子和空穴在空間上可以分布在不同層中。
"由於使用光譜學法和量子化學第一原理計算法，我們在MoS2/WSe2中發現了部分帶電電子空穴對，並對其進行定位。我們通過改變各層的相對方向得以控制這種新激子的輻射能"，格特哈爾德·謝伊菲爾特對新成果解釋道。
這些層間激子可以給出特別的光學信號，反映出在各層鋪疊時發生了甚麼，可以視為是控制半導體凹陷處（局部最小導電區）電子的量子電子學實驗的理想激子。利用其中一個凹陷處的電子空間對信息進行最大化的有效編碼。
根據謝伊菲爾特所說，後續團隊計劃研究各層的旋轉對材料的電子性質的影響，以及利用這些材料將發明的物體：太陽能板元件、晶體管和其他設備。