用大量高能碳、氧、碘、金、鉭和氙離子輻照石墨烯結果顯示,改變離子能量能夠在石墨烯上制備直徑1-4納米的納米孔。
NUST MISIS客座教授、物理數學副博士阿爾卡季·克拉捨寧尼科夫解釋稱:"現在的石墨烯研究即研究如何控制其特性變化,如採用損傷其結構的方法。給石墨烯製造損傷能夠顯著改變其電子和傳導特性,其中一個方法是用不同元素離子輻照石墨烯。可以預計,在石墨烯上定期制孔可使其光譜重新排列為半導體光譜,使其能夠應用於電子產品。

NUST MISIS客座教授、物理數學副博士阿爾卡季·克拉捨寧尼科夫解釋稱:"現在的石墨烯研究即研究如何控制其特性變化,如採用損傷其結構的方法。給石墨烯製造損傷能夠顯著改變其電子和傳導特性,其中一個方法是用不同元素離子輻照石墨烯。可以預計,在石墨烯上定期制孔可使其光譜重新排列為半導體光譜,使其能夠應用於電子產品。