媒體：俄專家發明單分子厚度微電路

俄羅斯科學院生化物理研究所首席研究員列昂尼德·切爾諾扎通斯基稱，儘管現在談微型電子設備的投產還為時尚早，但這一髮現具有全球意義。

半導體材料是在氮化硼基礎上製造而成，氮化硼可通過改變氧濃度而改變禁帶寬度。向氮化蹦不同部位添加不等量的氧，可在板上“畫出”所需微電路。專家稱，該發現使這種材料在不同科技領域的使用成為可能，特別光伏和光電子學領域。

俄羅斯專家的這一髮現有助於製造出比現有服務器小千倍的服務器，而且與現有服務器相比，不僅體積不同，能耗也不同，借此可實現蓄能裝置的微型化。