俄科學家發現斯格明子霍爾效應 可製造新型電子儲存器

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俄羅斯遠東聯邦大學科研工作者奧列格·特列季亞科夫作為俄日美德國際研究團隊的一員發現斯格明子霍爾效應(skyrmion Hall effect),這使得製造更高速、廉價、可靠、非易失性的電子儲存器成為可能。

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消息指出,科學家們的工作成果發佈在《自然·物理學》(Nature physics)雜誌上。

奧列格·特列季亞科夫稱,“斯格明子”可能是未來磁存儲技術的基礎。斯格明子的間距可僅為幾納米,與此同時,現代硬盤的磁疇最少為100納米。此外,以斯格明子為基礎的內存甚至可在缺少電源的情況下保存信息。

特列季亞科夫的同事、俄羅斯遠東聯邦大學的亞歷山大·薩馬爾達克解釋說,現在科學家們已在基於斯格明子研發新的數據儲存和處理系統。這樣的儲存器元件造價更低,並且工作速度更快,更可靠。未來它們可用於生產電腦、智能手機以及能夠長時間工作無需充電的傳感器。

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