韓媒:三星前高管和首席研究員被批捕,涉嫌對華洩露芯片技術

據韓聯社報道,首爾警察廳產業技術安全偵查隊6日發佈消息稱,三星電子前高管和首席研究員因涉嫌對華洩露芯片核心技術被批捕。
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消息稱,曾擔任三星電子和海力士半導體(現SK海力士)高管的崔某(66歲)和前三星電子首席研究員吳某(60歲)涉嫌違反《產業技術法》和《防止不正當競爭及商業秘密保護法》,洩露三星電子自主開發的700多個20納米技術工藝流程圖用於成都高真科技公司進行產品研發。
據悉,成都高真科技系崔某2021年獲投資後設立,吳某出任該公司高管。
韓國警方於今年1月申請提捕吳某,但被駁回。之後,警方補充偵查並再次提請批捕,並一同提捕崔某。首爾中央地方法院日前批准逮捕。警方計劃具體調查洩密過程、以及是否獲取經濟利益等。
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