無錫工廠是該公司的核心生產基地，約佔SK海力士DRAM總產量的40%。無錫工廠目前正在生產第二代和第三代DRAM，該產品屬於10納米後期級別的老產品（傳統）系列。
對於SK海力士而言，將無錫工廠過渡到10納米第四代DRAM及更高水平是一項挑戰。這是由於美國公開的EUV法規所致。自2019年起，美國禁止ASML的EUV光刻機進入中國市場，而EUV光刻機是先進半導體工藝的重要設備。這是為了給中國政府的“半導體推廣”施加壓力。
報道稱，SK海力士受禁令影響不大。自生產10納米第四代DRAM以來，該公司一直在使用EUV工藝，但由於不允許將EUV光刻設備帶入無錫，因此無法以正常方式生產這些DRAM。 當然，SK海力士去年獲得了美國政府授予的”驗證最終用戶“（VEU）稱號，這使其可以向中國工廠進口用於生產18納米以下 DRAM 的設備。但這並不允許進口 EUV 設備。
SK海力士決定轉換工藝是為了運輸。它將在無錫生產線上完成第四代 DRAM 的部分工藝，然後把晶圓運到其總部所在地利川園區，應用 EUV，再運回無錫完成整個工藝。該公司在 2013 年無錫工廠大火期間克服了 DRAM 生產中斷的困難，因此在這種方法上也擁有豐富的經驗。
關於無錫工廠的工藝轉換，SK海力士表示：“我們無法確認公司具體的工廠運營計劃。”