消息稱，Rapidus公司、東大及理化學研究所參與的研究機構“最尖端半導體技術中心（LSTC）”與Leti於10月簽訂了探討合作的備忘錄。
雙方的目標是確立設計開發線寬為1.4納米-1納米的半導體所需要的基礎技術。1納米產品需要不同於傳統的晶體管（元件）結構，Leti在該領域的成膜等關鍵技術上佔優。最尖端半導體技術中心將在試製品評估及人才派遣等方面進行合作。
消息指出，雙方將於2024年將正式開展人才交流和技術共享。利用Leti的技術，構建有利於提高自動駕駛和人工智能（AI）性能的1納米產品供應體制。
消息稱，Rapidus公司目前正與美國IBM公司、比利時半導體研究開發機構imec合作開發2納米工藝，計劃於2027年實現量產。1納米產品預計在2030年代以後普及，功率及運算性能比2納米高1-2成。1納米產品也在考慮尋求與IBM合作。