韓國水原地方檢察廳6月12日表示，以違反《產業技術保護法》和《不正當競爭防止法》的罪名將這名高管逮捕起訴，並以涉嫌違反《不正當競爭防止法》等針對其在華設立的公司所屬5名職員和涉嫌洩露設計圖的三星電子合作公司1名職員共6人進行不捕直訴。
報道稱，該高管涉嫌從2018年8月至2019年以不當手法獲取並使用三星電子半導體工廠基本工程數據（Basic Engineering Data）、工藝流程圖、設計圖等信息。涉案技術為用於製造30納米以下動態隨機存取存儲器（DRAM）和閃存芯片（NAND）的制程工藝，屬於國家關鍵技術。
經查發現，該高管企圖在距離三星電子西安半導體工廠僅1.5公里處興建“山寨版”三星芯片廠。由於台灣一家電子產品製造商曾承諾的8萬億韓元（約合人民幣443億元）投資落空，工廠建設項目沒能實際進行。但據悉，該人曾在成都獲得4600億韓元投資建設半導體製造工廠，其中研發樓已於去年完工，並採用三星電子半導體技術生產出了樣品。
嫌疑人曾任三星電子常務、SK海力士副社長等職務，是韓國半導體製造領域具有權威地位的人物。他在華設廠後錄用200名三星電子、SK海力士的員工，並指示他們獲取並利用三星電子半導體設計資料。檢方推算，洩露技術給三星電子至少造成3000億韓元損失（約合16.62億元人民幣）。