https://big5.sputniknews.cn/20260825/1072915855.html
專家：中國7納米及以下半導體短期難追英偉達，5至10年內有望破局
專家：中國7納米及以下半導體短期難追英偉達，5至10年內有望破局
俄羅斯衛星通訊社
... 2026年8月25日, 俄羅斯衛星通訊社
2026-08-25T16:43+0800
2026-08-25T16:43+0800
2026-08-25T16:43+0800
評論
半導體
中國
技術
https://cdn.sputniknews.cn/img/07e7/07/0b/1051713915_0:51:1544:920_1920x0_80_0_0_eb0c53c2e902ed8b71caf4ff3b5c047b.jpg
高盛在其第四期全球半導體芯片研究報告《中國半導體國產化進程持續推進》中指出，在生成式人工智能需求拉動下，中國半導體供應鏈正持續擴張並加快補齊短板。高盛預計，到2035年中國7納米及以下邏輯芯片供需缺口將收窄至34%；2025至2035年，該類晶圓月需求將以17%的年復合增長率攀升，2035年達每月61.9萬片，增長主要由AI服務器需求驅動，同期AI服務器需求年復合增速達42%。報告另預測，長鑫存儲至2028年可滿足中國50%的DRAM需求。上述預測與中國國內產業動態形成呼應。據公開信息，長鑫科技2026年7月登陸科創板，2025年四季度其DRAM全球份額已升至7.67%，居全球第四；國金證券測算其月產能有望從2025年底的28萬—29萬片提升至2028年的50萬片。另據中國日報網2026年2月數據顯示，北方華創、中微公司、上海微電子三家中國設備商首次躋身全球半導體設備銷售額前二十，但高端光刻機等環節仍存代差。從公開背景看，中國工信部2024年版《首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄》已列明國產深紫外光刻機65納米分辨率、8納米套刻精度指標。此前亦有報道指出，7納米及以下制程仍受高端光刻機、刻蝕機及EDA工具、高端光刻膠等進口限制，上游環節國產化率不足20%。綜合高盛預測與專家判斷，中國半導體國產化在中長期窗口內具備收縮供需缺口的現實路徑，但先進制程、高端光刻與最前沿節點仍是客觀存在的技術邊界；產業推進正沿“AI需求牽引—產能擴張—設備材料配套—節點逐級逼近”的鏈條展開，而非一蹴而就的全局趕超。
https://big5.sputniknews.cn/20260429/1071022684.html
俄羅斯衛星通訊社
feedback.cn@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rossiya Segodnya“
2026
News
cn_CN
俄羅斯衛星通訊社
feedback.cn@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rossiya Segodnya“
俄羅斯衛星通訊社
feedback.cn@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rossiya Segodnya“
評論, 半導體, 中國, 技術
專家：中國7納米及以下半導體短期難追英偉達，5至10年內有望破局
評論
美國投資研究機構高盛最新報告提出，中國半導體供應鏈正在生成式AI需求推動下持續發展並加快補齊產業鏈短板。北師香港浸會大學教授許粲昊在接受俄羅斯衛星通訊社採訪時表示，中國半導體在7納米及以下先進制程整體技術能力仍偏弱、高端光刻機等關鍵環節受限。短期內2至3納米尖端突破及完全自主全產業鏈追平英偉達英特爾難度極大，但中長期5至10年存在可行性。
高盛在其第四期全球半導體芯片研究報告《中國半導體國產化進程持續推進》中指出，在生成式人工智能需求拉動下，中國半導體供應鏈正持續擴張並加快補齊短板。高盛預計，到2035年中國7納米及以下邏輯芯片供需缺口將收窄至34%；2025至2035年，該類晶圓月需求將以17%的年復合增長率攀升，2035年達每月61.9萬片，增長主要由AI服務器需求驅動，同期AI服務器需求年復合增速達42%。報告另預測，長鑫存儲至2028年可滿足中國50%的DRAM需求。
上述預測與中國國內產業動態形成呼應。據公開信息，
長鑫科技2026年7月登陸科創板，2025年四季度其DRAM全球份額已升至7.67%，居全球第四；國金證券測算其月產能有望從2025年底的28萬—29萬片提升至2028年的50萬片。另據中國日報網2026年2月數據顯示，北方華創、中微公司、上海微電子三家中國設備商首次躋身全球半導體設備銷售額前二十，但高端光刻機等環節仍存代差。
在此背景下，許粲昊表示：“當前我國半導體產業發展面臨的挑戰主要在先進制程芯片製造環節，比如7納米及以下制程領域。目前我國雖已初步搭建起對應制程的製造體系，但整體技術能力仍偏弱，產業鏈關鍵環節如高端光刻機等存在限制，大部分技術尚未躋身全球第一梯隊。”
從公開背景看，中國工信部2024年版《首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄》已列明國產深紫外光刻機65納米分辨率、8納米套刻精度指標。此前亦有報道指出，7納米及以下制程仍受高端光刻機、刻蝕機及EDA工具、高端光刻膠等進口限制，上游環節國產化率不足20%。
許粲昊進一步指出：“短期內我國實現尖端技術突破的可能性較小，特別是在2~3納米這類全球最前沿的半導體工藝領域，建成完全自主的全產業鏈體系，追平英偉達、英特爾等頭部企業的最新工藝水平，難度是非常大的。但從中長期發展來看，5~10年內存在可行性。”
綜合高盛預測與專家判斷，中國
半導體國產化在中長期窗口內具備收縮供需缺口的現實路徑，但先進制程、高端光刻與最前沿節點仍是客觀存在的技術邊界；產業推進正沿“AI需求牽引—產能擴張—設備材料配套—節點逐級逼近”的鏈條展開，而非一蹴而就的全局趕超。
京公網安備11010502053235號
