https://big5.sputniknews.cn/20240907/1061430544.html

韓媒：三星前高管和首席研究員被批捕，涉嫌對華洩露芯片技術

韓媒：三星前高管和首席研究員被批捕，涉嫌對華洩露芯片技術

俄羅斯衛星通訊社

據韓聯社報道，首爾警察廳產業技術安全偵查隊6日發佈消息稱，三星電子前高管和首席研究員因涉嫌對華洩露芯片核心技術被批捕。 2024年9月7日, 俄羅斯衛星通訊社

2024-09-07T08:56+0800

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消息稱，曾擔任三星電子和海力士半導體（現SK海力士）高管的崔某（66歲）和前三星電子首席研究員吳某（60歲）涉嫌違反《產業技術法》和《防止不正當競爭及商業秘密保護法》，洩露三星電子自主開發的700多個20納米技術工藝流程圖用於成都高真科技公司進行產品研發。據悉，成都高真科技系崔某2021年獲投資後設立，吳某出任該公司高管。韓國警方於今年1月申請提捕吳某，但被駁回。之後，警方補充偵查並再次提請批捕，並一同提捕崔某。首爾中央地方法院日前批准逮捕。警方計劃具體調查洩密過程、以及是否獲取經濟利益等。

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