俄學者解釋超快計算機存儲器運行現象

© 照片 : Peter Karpov, NUST MISIS俄學者解釋超快計算機存儲器運行現象
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俄羅斯國家研究型技術大學莫斯科國立鋼鐵合金學院(NUST MISIS)工作人員謝爾蓋·布拉佐夫斯基和彼得·卡爾波夫合作,研究出了富有前景的現代微電子材料中的層狀二硫化鉭的隱藏潛在狀態的形成理論。文章發表在《科學報告》(Scientific Reports)雜誌上。

謝爾蓋·布拉佐夫斯基2014年與斯洛文尼亞的同行們一起,發現了以上所提到的物質的隱藏潛在狀態。試驗以超短激光或電子脈衝對尺寸小於100納米的二硫化鉭樣本施加影響。本次試驗後開啓了研究層狀材料研究的熱潮。

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材料的狀態在輻照區域因這些脈衝而改變,它從絕緣體變成了導體(或者相反,根據試驗員的意願)。而且,轉變發生的速度比現代計算機中充作記憶載體的最快材料還要快幾倍。狀態在影響後並未消失,而是保存下來。相應地,材料成為新一代信息載體中基礎角色的潛在候選者。

謝爾蓋·布拉佐夫斯基的同事、俄羅斯國家研究型技術大學莫斯科國立鋼鐵合金學院理論物理和量子技術系工程師彼得·卡爾波夫向俄新社解釋了這項研究的實質:"在斯洛文尼亞同行們發現物質在普通相位躍遷時所無法達到的隱藏潛在狀態後,各種雜誌中湧現出一大波這方面的科研文章。但是,大量文章只是試驗性的,而理論滯後。也就是說,在許多實驗室中都可以得到這種狀態,但為何得到的恰好就是這種狀態,它的形成機制如何,整體而言它的性質如何,仍然令人不得而知。在上述文章中我們恰好是在試圖探尋所發生過程的理論基礎。"

俄羅斯國家研究型技術大學莫斯科國立鋼鐵合金學院學者們的工作在於構建包羅萬象的理論模型。這一模型可用於描述新發現狀態的最重要的性質:納米結構鑲嵌塊的形成和轉變。

學者們說,得益於所研究的理論,可以肯定,二硫化鉭確實可被用來長期儲存信息和以超快速度處理信息。

 

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