借助新材料製造的電腦將擁有處理信息的新方法。它的內存儲器和硬盤將像人腦的神經元一樣運行。
國立核研究大學莫斯科工程物理學院長期尋找可以實現電阻開關兩極效應的新材料。此前已經證明,這種材料存在於帶有磁阻極大的材料和高溫超導體中。
國立核研究大學莫斯科工程物理學院激光和等離子體技術研究所固體物理學和納米系統教研室副教授安德烈·伊萬諾夫評論說:“我們工作的創新之處在於採用了光刻的方法,有助於研發電阻內存元素微型化的技術。”
學者們在科研成果的基礎上,選擇了在鈦酸鍶單晶襯板表面上生成的外延薄層。學者們證實了利用外延薄層製造新一代電腦憶阻器(Memristor)的可行性。